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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
43
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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