RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3310
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link