RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
46
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2481
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link