RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
48
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2466
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link