RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
43
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2820
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link