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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
56
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2138
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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