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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
43
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2279
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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