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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
43
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2245
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Absolute Latency
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