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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
43
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3290
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
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