RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
59
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3118
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link