RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2813
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link