RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
15.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3740
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link