RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
59
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
18.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
4164
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link