RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
59
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2950
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link