RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
59
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2895
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link