RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
59
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2697
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link