RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2999
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link