RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
17.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
17.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3860
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link