RAM-Vergleich Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

59 83

Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 14.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.8 2,123.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

731 1752

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns