RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
59
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
17.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3762
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link