RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3289
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link