RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
59
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3035
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link