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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
59
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2163
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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