RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
59
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3149
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link