RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2496
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link