RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
67
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2030
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link