RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
59
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2325
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link