RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
59
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2438
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link