RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
59
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2458
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link