RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
59
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3201
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link