RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
59
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2989
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link