RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
59
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2312
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link