RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
59
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2590
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link