RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
59
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2264
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link