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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
59
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2820
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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