RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2789
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link