RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
59
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2712
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905403-114.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link