RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
59
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3326
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link