RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
59
Rund um -119% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2373
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link