RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
69
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3089
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link