RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
69
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2960
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link