RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
69
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3386
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link