RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
69
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3133
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link