RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
69
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2442
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link