RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3832
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link