RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
69
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
17.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3697
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link