RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
69
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3557
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link