RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
69
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2821
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link