RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
69
75
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1548
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link