RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
6.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2238
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link